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第Ⅱ卷(必做120分+選做32分，共152分)
【必做部分】
23(12分)2007年諾貝爾物理學獎授予了兩位發現“巨磁電阻”救應的物理學家。材料的電阻隨磁場的增加而增大的現象稱為磁阻效應，利用這種效應可以測量磁感應強度。若圖l為某磁敏電阻在室溫下的電阻一磁感應強度特性曲線，其中RB,R0分別表示有、無磁場時磁敏電阻的阻值。為了測量磁感應強度B，需先測量磁敏電阻處于磁場中的電阻值RB。請按要求完成下列實驗。
(1)設計一個可以測量磁場中該磁敏電阻阻值的電路，在圖2的虛線框內畫出實驗電路原理圖(磁敏電阻及所處磁場已給出，待測磁場磁感應強度大小約為0.6～1.0T，不考慮磁場對電路其它部分的影響)。要求誤差較小。
提供的器材如下：
A磁敏電阻，無磁場時阻值Ro=150Ω
B滑動變阻器R，全電阻約20Ω
C電流表．量程2.5mA，內阻約30Ω
D電壓表，量程3V，內阻約3kΩ
E直流電源E，電動勢3V，內阻不計
F開關S，導線若干
(2)正確接線后，將磁敏電阻置入待測磁場中，測量數據如下表
根據上表可求出磁敏電阻的測量值RB=________Ω，
結合圖1可知待測磁場的磁感應強度B=_________T。
(3)試結合圖1簡要回答，磁感應強度B在0～0.2T和0.4～1.0T范圍內磁敏電阻阻直的變化規律有何不同?
(4)某同學查閱相關資料時看到了圖3所示的磁敏電阻在一定溫度下的電阻一磁感應強度特性曲線(關于縱軸對稱)，由圖線可以得到什么結論?
(1)如右圖所示
(2)1500 0.90
(3)在0～0 2T范圍內，磁敏電阻的阻值隨磁感應強度非線性變化(或不均勻變化);在0.4～1.0T范圍內，磁敏電阻的阻值隨磁感應強度線性變化(或均勻變化)
(4)磁場反向．磁敏電阻的阻值不變。
24(15分)某興趣小組設計了如圖所示的玩具軌道，其中“2008”四個等高數字用內壁光滑的薄壁細圓管彎成，固定在豎直平面內(所有數字均由圓或半圓組成，圓半徑比細管的內徑大得多)，底端與水平地面相切。彈射裝置將一個小物體(可視為質點)以Va=5m/s的水平初速度由a點彈出，從b點進入軌道，依次經過“8002”后從p點水平拋出。小物體與地面ab段間的動摩擦因數μ=0.3，不計其它機械能損失。已知ab段長L=l.5m,數字“0”的半徑R=0.2m，小物體質量m=0.0lkg，g=10m／s2。求：
(1)小物體從p點拋出后的水平射程。
(2)小物體經過數字“0”的最高點時管道對小物體作用力的大小和方向。
解：(1)設小物體運動到p點時的速度大小為v，對小物體由a運動到p過程應用動能定理得 
小物體自P點做平拋運動，設運動時間為t．水平射程為s，則
②
s=vt③
聯立①②③式，代入數據解得s=0.8m④
(2)設在數字“0”的最高點時管道對小物體的作用力大小為F取豎直向下為正方向
⑤
聯立①⑤式，代入數據解得
F=0.3N⑥
方向豎直向下
25(I 8分)兩塊足夠大的平行金屬極板水平放置，極板間加有空間分布均勻、大小隨時間周期性變化的電場和磁場，變化規律分別如圖1、圖2所示(規定垂直紙面向里為磁感應強度的正方向)。在t=0。時刻由負極板釋放一個初速度為零的帶負電的粒子(不計重力)。若電場強度E0、磁感應強度B0、粒子的比荷
均已知，且
，兩板間距h=
。
(1)求粒子在0～to時間內的位移大小與極板間距h的比值。
(2)求粒子在極板間做圓周運動的最大半徑(用h表示)。
(3)若板間電場強度E隨時間的變化仍如圖l所示，磁場的變化改為如圖3所示，試畫出粒子在板間運動的軌跡圖(不必寫計算過程)。
解法一：(1)設粒子在o～to時間內運動的位移大小為s1
① 
② 又已知
聯立①②式解得
③
(2)粒子在to～2to時間內只受洛倫茲力作用．且速度與磁場方向垂直，所以粒子做勻速圓周運動。設運動速度大小為v1，，軌道半徑為R1，周期為T，則
④ 
⑤
聯立④⑤式得
⑥又 
⑦ R r。鬻⑦
即粒子在t?！?to時間內恰好完成一個周期的圓周運動。在2t?！?to時間內，粒子做初速度為v1的勻加速直線運動，設位移大小為s2
⑧
解得
⑨
由于s1+s2<h，所以粒子在3to～4to時間內繼續做勻速圓周運動，設速度大
小為v2，半徑為R2
v2=v1+at0⑩
由于s1+s2十R2<h，粒子恰好又完成一個周期的圓周運動。在4t。～5t。時間內，粒子運動到正極板(如圖l所示)。因此粒子運動的最大半徑
。
(3)粒子在板間運動的軌跡如圖2所示。
解法二：由題意可知，電磁場的周期為2t0，前半周期粒子受電場作用做勻加速直線運動．加速度大小為方向向上
后半周期粒子受磁場作用做勻速圓周運動，周期為T
粒子恰好完成一次勻速圓周運動。至第n個周期末，粒子位移大小為sn
由以上各式得
粒子速度大小為 
粒子做圓周運動的半徑為 
解得 
顯然s2+R2<h<s3
(1)粒子在0～t0時間內的位移大小與極板間距h的比值
(2)粒子在極板聞做圓周運動的最大半徑 
(3)粒子在板間運動的軌跡圖見解法一中的圖2。
26(19分)番茄(2n=24)的正常植株(A)對矮生植株(a)為顯性，紅果(B)對黃果(b)為顯性，
兩對基因獨立遺傳。請回答下列問題
(1)現有基因型AaBB與aaBb的番茄雜交，其后代的基因型有____種。________基因型
的植株自交產生的矮生黃果植株比例最高．自交后代的表現型及比例為______。
(2)在
AA×
aa雜交中，若A基因所在的同源染色體在減數第一次分裂時不分離．產生的
雌配于染色體數目為_________，這種情況下雜交后代的株高表現型可能是________。
(3)假設兩種純合突變體X和Y都是由控制株高的A基因突變產生的，檢測突變基因轉錄
的mRNA．發現x的第二個密碼子中第二堿基由C變為u，Y在第二個密碼子的第二堿
基前多了個U。與正常植株相比，__________突變體的株高變化可能更大，試從蛋白質
水平分析原因:______________.
(4)轉基因技術可以使某基因在植物體內過量表達．也可以抑制某基因表達。假設A基因通過控制赤霉素的合成來控制番茄的株高，請完成如下實驗設計，以驗證假設是否成立。
④實驗設計(借助轉基因技術，但不要求轉基因的具體步驟)
a分別測定正常與矮生植株的赤霉索含量和株高。
b____________________________。
c____________________________。
②支持上述假設的預期結果:____________________.·
③若假設成立，據此說明基因控制性狀的方式___________________。
(l)4aaBb矮生紅果：矮生黃果=3：1
(2)13或11正?；虬?/p>
(3) YY突變體的蛋白質中氡基酸的改變比x突變體可能更多(或：x突變體的蛋白質可能只有一個氨基酸發生改變，Y突變體的蛋白質氨基酸序列可能從第一個氪基酸后都改變)。
(4)①答案一：
b.通過轉基因技術，一是抑制正常植株A基因的表達，二是使A基固在矮生植株過量表達。
c.測定兩個實驗組植株的赤霉素含量和株高。
答案二
b.通過轉基因技術，抑制正常植株A基因的表達，測定其赤霉素含量和株高。
c .通過轉基因技術，使A
(答案二中b和c次序不做要求)
②與對照比較．正常植株在A基因表達被抑制后，赤霉素含量降低，株高降低；與對照比較，A基因在矮生植株中過量表達后，該植株赤霉索含量增加，株高增加。
③基因通過控制酶的合成來控制代謝途徑，進而控制生物性狀。
