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上海交通大學2010年827材料科學基礎專業課考研真題試卷(回憶版)

來源:可可英語 編輯:max ?  可可英語APP下載 |  可可官方微信:ikekenet

這么快試就考完了,跟做夢似的,結果很不好,過的可能是不大了,今晚一晚都沒睡,睡不著,腦子現在都昏的不行了,雖然我成功的幾率幾乎為零,還是希望能給自己的考研之路留下點結果,將我記憶的材料基礎真題寫到這,希望對大家有些幫助。
交大材料的歷年考題都很簡單,也很基礎,今年也一樣,可也說非常簡單,仍是25道選擇

一、大題有5道,先說大題吧:
(1)很簡單在面心立方中畫(1,-1,-1)密排面和其上[110]晶向,在體心立方中畫(110)密排免和其上一個密排晶向【】,晶向指數可能不太對,不過就是密排面和密排晶向,這題很簡單,但我理解錯了,15分,所以很痛苦。
(2)畫出鐵碳相圖,并標清各相區,再寫出所有存在的恒溫反應。
(3)擴散,很簡單的用阿雷尼烏斯方程直接帶計算結果
(4)位錯反應,很簡單,在各種材料輔導書中都很常見,交大真題也考了好多年
(5)這個是第十章的題,簡單說明,金屬、絕緣體、半導體電導率存在差別的原因。

二、選擇有25個,只能大致能記多少說多少了:
1、下列哪個晶向在一個晶面上,就是考晶帶定律
2、下列晶體不屬于面心立方點陣(一個選項中列了三種如鎂、鋁、炭、讓你選)
3、下列哪個是密排結構(A。鋁,B鎂,C想不起來了)
4、有序固溶體的組態熵(A,大于0.B,小于0,C等于0)
5、室溫下能穩定存在的是(A、位錯,B、晶界,C、空位)其實就是點缺陷有平衡濃度,是熱力學穩定的缺陷
6、晶體都是有密排面按一定的順序堆垛而成的,下列哪些是發生了層錯(很簡單,ABCABC....,或ABAB.....排列是正常的,不選就行了)
7、倆個垂直的刃型位錯交割,(一定會,可能會,不會)形成割接
8、單晶體臨界分切應力與(拉應力位向、金屬材料、拉伸屈服應力)哪個有關、這個應該是材料,是表征材料的特征,不要選那倆個,這在交大的題庫選擇題里有個原題
9、細化晶??墒瞧洌ㄇ姸?、抗拉強度、斷裂強度)哪個提高
10、對稱元素-3可以看做是(3+i)
11、晶粒長大可近似(時間的根號成正比)
12、粗糙界面大約各有有多少(1、二分之一、四分之一)原子,使自由能最低
13、固溶體非平衡凝固使凝固溫度(高于、低于、等于)平衡凝固溫度
14、合金凝固時,增加雜質含量會增加凝固溫度范圍,從而有利于形成(平面狀,胞狀還是樹枝)
15,三元相圖恒溫反應平面,必包括(倆相,三相,四相)
16、金屬經高溫淬火在室溫是會形成大量過飽和空位,為了說明最好用哪種方法檢驗(金相法,電阻法,膨脹法)
17、金屬呈現顏色主要與(吸收波,反射波,投射波)波長有關
恩只記住這么多了,其他的記不清了,不過大家也別擔心,看了上面的題以及交大以前的題,會發現都很簡單,很基礎,其他的都讓人沒印象,肯定也非常簡單才沒什么印象,上面的題號基本是按順序來的,也有些反了,不過交大出題是按章節來的,從前到后,大家自己對著以前真題看下就會明白。
這倆天考試弄的我很失落,努力了一年,還是失敗的結果,今晚實在是不想睡,到現在,馬上學校還要做實驗,匆匆寫這么點,希望對要考交大材料的同學有幫助,我在復習時也受到了許多認識或不認識的人幫助,雖然不理想,但還是希望給別人些幫助,祝所有考研的人能夠心想事成

一、選擇題
1、六方晶向指數轉換。指出所給選項中所給物質的均為面心立方點陣(每一選項有三種物質,這些物質都是書上第二章中介紹的物質包括金屬和離子晶體。CaF2,Mg,NaCl,石墨,Cu,Fe的兩種同素異構)
2、金屬的顏色是由什么決定的(透射光,吸收光,反射光)
3、理想有序合金的組態熵(大于零,等于零,小于零)
4、選出所給的高分子材料為熱塑性材料
5、臨界分切應力于什么有關
6、熱力學平衡條件下什么缺陷能夠存在(晶界,空位,位錯)
7、兩個相互垂直的刃型位錯形成割階(一定會,可能會,不會)
8、細化晶粒能夠提高(屈服強度,抗拉強度,斷裂強度)
9、對于一面心立方的晶體中一螺型位錯發生了交滑移選擇合適的滑移面
10、多晶體再結晶晶粒長大過程中晶粒尺寸與時間的關系(D∝t,D∝t(2),D∝t(1/2))
11、擴散過程中無規行走R與時間和擴散系數的關系(R∝Dt,R∝(Dt)(1/2),R∝Dt(2))

二、應用題
1、分別畫出體心立方晶胞和面心立方晶胞內的兩個指定晶面和晶向。
2、畫出Fe——Fe3C相圖。標明各個相區。寫出恒溫反應的式。
3、題目中給出面心立方晶胞刃型位錯線的晶向,同時給出柏氏矢量,證明這一位錯是刃型的。并且寫出其分解為擴展位錯的反應式。
4、在Fe中滲碳。α—Fe擴散系數D0為0.2×10(-5),擴散激活能為84×10(3)。γ—Fe的D0為2×10(-5),擴散激活能為120×10(3)。計算α—Fe在900K和γ—Fe在1200K時的擴散系數。為了達到相同的滲碳層厚度。那種滲碳方式最節約時間。
5、金屬具有高的導電率,絕緣體導電率很低,而半導體卻適中。請解釋一下具體原因

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